里卡多合作安世半导体 为GaN电动汽车逆变器研发技术验证机

2020-02-28来源: 盖世汽车 关键字:里卡多  GaN电动汽车  逆变器

据外媒报道,荷兰安世半导体(Nexperia)公司宣布与里卡多公司(Ricardo)建立合作伙伴关系,为基于氮化镓(GaN)技术制成的电动汽车逆变器研发技术验证机。


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GaN是电动汽车逆变器等应用的首选开关,因为GaN场效应晶体管(FET)可让系统的效率更高、成本降低、热性能得到改进、开关拓补变得更简单。从汽车角度看,可以让汽车的续航里程变长,而续航里程也是困扰人们是否购买电动汽车的主要问题之一。目前,GaN即将取代SiC(碳化硅)或硅基绝缘栅门极晶体管(IGBT),成为插电式混合动力汽车和纯电动汽车牵引逆变器的首选技术。


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去年,Nexperia推出获得AEC-Q101认证的GaN设备系列,为汽车设计人员提供了一个经过验证、可靠的设备产品组合,能够满足动力系统电气化所要求的功率密度。里卡多在汽车行业也享有很高的声誉,该公司主要为汽车行业提供概念设计和概念咨询服务,包括制造和演示原型,而且还与迈凯伦和布加迪等知名领先汽车品牌进行了合作。


安世半导体GaN总经理Michael LeGoff表示:“通过将我们的GaN设备设计成一款逆变器,并通过里卡多进行测试,就能够更好地理解车辆如何能够更安全、更可靠地驾驶。”


里卡多公司技术与产品总监Adrian Greaney表示:“半导体技术是逆变器系统的关键,对于电动汽车的性能和效率尤为关键。GaN在开关速度和效率方面提供了很大的益处,是一项真正的好技术。除了能够增加汽车的续航里程,还能够减小逆变器套件的尺寸和重量,从而使动力系统设计变得更加灵活,并有助于减轻车辆重量。”


关键字:里卡多  GaN电动汽车  逆变器 编辑:鲁迪 引用地址:http://news.pyfle.com/qcdz/ic489889.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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