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你知道射频领域未来的明星材料吗?

2019-10-24
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随着5G时代到来,射频领域对半导体器件性能、效率、小型化的要求越来越高,传统以硅 (Si)、锗 (Ge)为代表的第一代半导体材料逐渐无法满足5G时代的需求,因此,半导体材料发生了革命性的变革-第二代和第三代半导体材料诞生了。特别是,第三代半导体材料,由于其具有较大的带宽宽度,较高的击穿电压 (breakdown voltage),耐压与耐高温性能良好,因此更适用于制造高频、高温、大功率的射频组件,正是凭借着优异的性能,他们早已成为当前各国半导体公司竞相布局的焦点。


上面说了这么多,下面就给大家具体介绍一下,第二代和第三代半导体材料有哪些:

  • 第二代半导体是以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等化合物为代表;

  • 第三代半导体材料是以氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化锌 (ZnSe) 等宽带半导体原料为主。


这里,给大家主要推荐砷化镓 (GaAs)和氮化镓 (GaN)。为什么主推这两种材料呢?射频半导体厂商Qorvo在“射频领域的明星材料:砷化镓和氮化镓”中给出了主要理由。请点击“阅读原文”浏览。



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